Селенид меди индий (ди) селенид (CIGS) представляет собой полупроводниковый материал I-III-VI2, состоящий из меди, инди, галлия и селена. Материал представляет собой твердый раствор селенида меди индий (часто сокращенно «СНГ») и селенида медного галлия. Он имеет химическую формулу CuIn (1-x) Ga (x) Se2, где значение x может меняться от 0 (чистый селенид меди меди) до 1 (селенид чистого селенида меди). CIGS представляет собой тетраэдрически связанный полупроводник с кристаллической структурой халькопирита и запрещенной зоной, непрерывно изменяющейся с х от около 1,0 эВ (для селенида меди индий) до около 1,7 эВ (для селенида медного галлия).
| CIGS. Красный = Cu, желтый = Se, синий = In / Ga | |
| Идентификаторы | |
|---|---|
| Количество CAS |
|
| свойства | |
| Химическая формула | CuIn (1-x) Ga x Se 2 |
| плотность | ~ 5,7 г / см 3 |
| Температура плавления | От 1,070 до 990 ° C (от 1,960 до 1,810 ° F, от 1340 до 1260 K) (x = 0-1) |
| Полоса | 1,0-1,7 эВ (x = 0-1) |
| Состав | |
| Кристальная структура | тетрагональный, символ Пирсона tI16 |
| Космическая группа | I 4 2d |
| Постоянная решетки | a = 0,56-0,58 нм (x = 0-1), c = 1,10-1,15 нм (x = 0-1) |
| Если не указано иное, данные приводятся для материалов в их стандартном состоянии (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа). | |
Состав
CIGS представляет собой тетраэдрически связанный полупроводник с кристаллической структурой халькопирита. При нагревании он переходит в форму цинковой обманки, а температура перехода уменьшается от 1045 ° С при х = 0 до 805 ° С при х = 1.
Приложения
Лучше всего известно, что для солнечных элементов CIGS используется технология тонкой пленки, используемая в фотогальванической промышленности. В этой роли CIGS имеет то преимущество, что можно наносить на гибкие материалы подложки, создавая гибкие, легкие солнечные панели. Повышение эффективности сделало CIGS установленной технологией среди альтернативных клеточных материалов.