कॉपर इंडियम गैलियम (डी) सेलेनाइड (सीआईजीएस) तांबे, इंडियम, गैलियम और सेलेनियम से बना एक आई-III-VI2 सेमीकंडक्टर सामग्री है। सामग्री तांबा इंडियम सेलेनाइड (अक्सर संक्षेप में “सीआईएस”) और तांबा गैलियम सेलेनाइड का एक ठोस समाधान है। इसमें क्यूइन (1-एक्स) गा (एक्स) से 2 का रासायनिक सूत्र है जहां एक्स का मान 0 (शुद्ध तांबा इंडियम सेलेनाइड) से 1 (शुद्ध तांबे गैलियम सेलेनाइड) में भिन्न हो सकता है। सीआईजीएस एक टेट्राहेड्राली बंधुआ अर्धचालक है, जिसमें चॉककोराइट क्रिस्टल संरचना है, और एक बैंडगैप लगातार 1.0 ईवी (तांबा इंडियम सेलेनाइड के लिए) से लगभग 1.7 ईवी (तांबे गैलियम सेलेनाइड के लिए) के साथ भिन्न होता है।
| सीआईजीएस इकाई सेल। लाल = सीयू, पीला = से, नीला = इन / गा | |
| पहचानकर्ता | |
|---|---|
| सीएएस संख्या |
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| गुण | |
| रासायनिक सूत्र | क्यूइन (1-एक्स) गा एक्स से 2 |
| घनत्व | ~ 5.7 जी / सेमी 3 |
| गलनांक | 1,070 से 9 0 डिग्री सेल्सियस (1,960 से 1,810 डिग्री फारेनहाइट; 1,340 से 1,260 के) (x = 0-1) |
| ऊर्जा अंतराल | 1.0-1.7 ईवी (एक्स = 0-1) |
| संरचना | |
| क्रिस्टल की संरचना | टेट्रैगोनल, पियरसन प्रतीक टीआई 16 |
| अंतरिक्ष समूह | I42d |
| लैटिस कॉन्सटेंट | ए = 0.56-0.58 एनएम (एक्स = 0-1), सी = 1.10-1.15 एनएम (एक्स = 0-1) |
| अन्यथा ध्यान दिए जाने के अलावा, उनके मानक राज्य में सामग्री के लिए डेटा दिया जाता है (25 डिग्री सेल्सियस [77 डिग्री फारेनहाइट], 100 केपीए)। | |
संरचना
सीआईजीएस चल्कोपीराइट क्रिस्टल संरचना के साथ एक टेट्राहेड्रलली बॉन्ड अर्धचालक है। हीटिंग करने पर यह ज़िन्स्ब्लेंडे रूप में बदल जाता है और एक्स = 1 के लिए संक्रमण तापमान 1045 डिग्री सेल्सियस से x = 0 से 805 डिग्री सेल्सियस तक गिर जाता है।
अनुप्रयोगों
यह सीआईजीएस सौर कोशिकाओं के लिए फोटोवोल्टिक उद्योग में उपयोग की जाने वाली एक पतली फिल्म तकनीक के रूप में सबसे अच्छी तरह से जाना जाता है। इस भूमिका में, सीआईजीएस को लचीली सब्सट्रेट सामग्री पर जमा करने में सक्षम होने का लाभ है, जो अत्यधिक लचीला, हल्के सौर पैनलों का उत्पादन करता है। दक्षता में सुधार ने सीआईजीएस को वैकल्पिक सेल सामग्रियों के बीच एक स्थापित तकनीक बना दी है।